제품 개요
질화갈륨(Gallium Nitride)을 소재로 한 무선 주파수(RF) 전력증폭기용 트랜지스터. 기존 실리콘 기반 LDMOS 대비 효율 10%↑, 크기 최대 1/2, 전력 사용량 20%↓의 강점이 있으며, 전 세계 기지국 시장에 확대 적용되고 있다. 초도 양산 시 개발비 반영으로 높은 가격이 형성되며, 본격 양산 이후 거래처 협의를 통해 가격이 조정된다(양산주기 1~3년, 연 1회 가격조정).
시장 점유율
| 기업 | 점유율 | 기준 연도 |
|---|---|---|
| RFHIC | 미확인(정량 수치 미공시) | 2025 |
주요 고객사
- 삼성전자 (통신사업 부문 관련)
경쟁 제품
| 제품명 | 제조사 | 특징 |
|---|---|---|
| 실리콘 LDMOS 전력증폭기 | 해외 글로벌 경쟁사(비공개) | 30여 년 시장 장악, GaN 대비 효율·크기·전력 열위 |
시장 트렌드
5G, Massive MIMO 기지국 확대에 따라 GaN 기반 전력증폭기 수요가 지속 성장 중이며, 레이더·위성통신 등 방산·우주 분야로도 응용이 확대되고 있다.